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半导体分立器件AEC-Q101认证试验

简要描述：

广电计量在SiC第三代半导体分立器件AEC-Q101认证试验上具有丰富的实战经验，为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务，同时，我们也开展了间歇工作寿命（IOL）、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高压蒸煮（Autoclave）试验服务，设备能力*覆盖以SiC为第三代半导体器件的可靠性试验能力。

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更新日期：2022-08-03

价格：

详细介绍

品牌	广电计量	检测项目	其他

半导体分立器件AEC-Q101认证试验：AEC-Q101对各类半导体分立器件的车用可靠性要求进行了梳理。半导体分立器件AEC-Q101认证试验不仅是对元器件可靠性的国际通用报告，更是打开车载供应链的敲门砖。广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验，为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务，同时，我们也开展了间歇工作寿命（IOL）、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB、高压蒸煮（Autoclave）试验服务，设备能力*覆盖以SiC为第三代半导体器件的可靠性试验能力。

随着技术的进步，各类半导体功率器件开始由实验室阶段走向商业应用，尤其以SiC为代表的第三代半导体器件国产化的脚步加快。但车用分立器件市场均被国外*所把控，国产器件很难分一杯羹，主要的原因之一即是可靠性得不到认可。

测试周期：

2-3个月，提供全面的认证计划、测试等服务

产品范围：

二、三极管、晶体管、MOS、IBGT、TVS管、Zener、闸流管等半导体分立器件

测试项目：

序号	测试项目	缩写	样品数/批	批数	测试方法

1	Pre- and Post-Stress Electrical and Photometric Test	TEST	所有应力试验前后均进行测试		用户规范或供应商的标准规范
2	Pre-conditioning	PC	SMD产品在7、8、9和10试验前预处理		JESD22-A113
3	External Visual	EV	每项试验前后均进行测试		JESD22-B101
4	Parametric Verification	PV	25	3 Note A	用户规范
5	High Temperature Reverse Bias	HTRB	77	3 Note B	MIL-STD-750-1 M1038 Method A

5a	AC blocking voltage	ACBV	77	3 Note B	MIL-STD-750-1 M1040 Test Condition A

5b	High Temperature Forward Bias	HTFB	77	3 Note B	JESD22 A-108

5c	Steady State Operational	SSOP	77	3 Note B	MIL-STD-750-1 M1038 Condition B（Zeners）

6	High Temperature Gate Bias	HTGB	77	3 Note B	JESD22 A-108

7	Temperature Cycling	TC	77	3 Note B	JESD22 A-104 Appendix 6


7a	Temperature Cycling Hot Test	TCHT	77	3 Note B	JESD22 A-104 Appendix 6


7a alt	TC Delamination Test	TCDT	77	3 Note B	JESD22 A-104 Appendix 6 J-STD-035



7b	Wire Bond Integrity	WBI	5	3 Note B	MIL-STD-750 Method 2037

8	Unbiased Highly Accelerated Stress Test	UHAST	77	3 Note B	JESD22 A-118


8 alt	Autoclave	AC	77	3 Note B	JESD22 A-102

9	Highly Accelerated Stress Test	HAST	77	3 Note B	JESD22 A-110

9 alt	High Humidity High Temp. Reverse Bias	H3TRB	77	3 Note B	JESD22 A-101


10	Intermittent Operational Life	IOL	77	3 Note B	MIL-STD-750 Method 1037

10 alt	Power and Temperature Cycle	PTC	77	3 Note B	JESD22 A-105

11	ESD Characterization	ESD	30 HBM	1	AEC-Q101-001
			30 CDM	1	AEC-Q101-005
12	Destructive Physical Analysis	DPA	2	1 NoteB	AEC-Q101-004 Section 4

13	Physical Dimension	PD	30	1	JESD22 B-100

14	Terminal Strength	TS	30	1	MIL-STD-750 Method 2036

15	Resistance to Solvents	RTS	30	1	JESD22 B-107

16	Constant Acceleration	CA	30	1	MIL-STD-750 Method 2006

17	Vibration Variable Frequency	VVF	项目16至19是密封包装的顺序测试。（请参阅图例页面上的注释H.）		JEDEC JESD22-B103

18	Mechanical Shock	MS			JEDEC JESD22-B104

19	Hermeticity	HER			JESD22-A109

20	Resistance to Solder Heat	RSH	30	1	JESD22 A-111 (SMD) B-106 (PTH)


21	Solderability	SD	10	1 Note B	J-STD-002 JESD22B102

22	Thermal Resistance	TR	10	1	JESD24-3,24-4,26-6视情况而定

23	Wire Bond Strength	WBS	最少5个器件的10条焊线	1	MIL-STD-750 Method 2037

24	Bond Shear	BS	最少5个器件的10条焊线	1	AEC-Q101-003
25	Die Shear	DS	5	1	MIL-STD-750
					Method 2017
26	Unclamped Inductive Switching	UIS	5	1	AEC-Q101-004 Section 2


27	Dielectric Integrity	DI	5	1	AEC-Q101-004 Section 3

28	Short Circuit Reliability Characterization	SCR	10	3 Note B	AEC-Q101-006


29	Lead Free	LF			AEC-Q005