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第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测

简要描述:

第三代半导体作为一种理想的半导体材料,在新一代信息技术、新基建等领域得到了愈发广泛的应用。对于国内企业而言,要获取市场信任,检测是证明第三代半导体质量与可靠性的可行手段,同时也是提高其质量可靠性的重要保障。广电计量第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测特意推出第三代半导体可靠性验证与评价服务,助力企业产品高效发展。

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更新日期:2023-05-31

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第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测
品牌广电计量加工定制
服务区域全国服务周期常规3-5天
服务类型元器件筛选及失效分析服务资质CMA/CNAS认可
证书报告中英文电子/纸质报告增值服务可加急检测
是否可定制是否有发票

第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测服务背景

在第三代半导体的代表中,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)目前是技术较为成熟的材料,优越的性能使其在新一代运动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广泛的应用前景。SiCGaN器件凭借杰出的系统性能,给许多应用带来更高的效率和功率密度,以及更低的系统成本。然而,与所有的新技术一样,SiCGaN器件必须全面严格地遵循技术开发和产品质量检验程序。


第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测服务内容

广电计量围绕JEDEC系列标准,从三方面进行技术能力布局:

1、识别潜在的失效模式和失效机制,并根据目标寿命设计确认测试;

2、将样品置于适当的可靠性应力下,以加速激发潜在的失效机制;

3、完成加速应力后,对样品进行测试,以确定其性能是否仍可接受。

针对SiC分立器件和模块,广电计量参照JEDECAECQ101AQG324标准进行检测验证,能力不仅覆盖用于验证传统Si器件长期稳定性的所有方法,还开发了针对SiC器件不同运行模式的特定试验,见表1

1 SiC器件特定可靠性试验

试验

试验条件

HV-H3TRB

VDS=0.8VDSmax,Ta=85°C, RH=85%,t≥1000h

HTRB和负电压

VDS=VDSmax,Tvj=175°C,VG =-10 V,t≥1000h

动态H3TRB

VDS>0.5VDSmax,dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%,t≥1000h

动态反向偏压(DRB)

VDS≥0.8VDSmax,dVDS/dt (at DUT)=50V/ns,f ≥25 kHz,Ta= 25°C,t≥1000h

动态栅偏(DGS)

次数≥1011,dVGS/dt =1 V/ns,f ≥50 kHz,VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax,Ta=25°C

HTFB

SiC体二极管双极退化

CaN器件的质量及可靠性验证以JEDECAECQ101为基准进行,见表2,并针对GaN器件和Si基器件之间的差异实施表3试验。

2 通用可靠性试验

试验

试验条件

HTRB

Tj=150°C, VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h

HTGB

Tj=150°C,VGS=±100%,t≥1000h

H3TRB

Tj=85°C,RH=85%,VDS=0.8 VDSmax,t≥1000h

TC

-40°C to +125°C,≥1000cycles

HTS

Ta=150°C,t≥1000h

IOL

DTj=100°C,2min on,2min off,≥5k cycles

ESD

HBM+CDM

MSL3

Ta=60°C,RH=60%,t=40h,3x reflow cycles

3 CaN器件特定试验

试验

试验标准

开关加速耐久试验

JEP122,JEP180

动态高温工作寿命

动态Rdon测试

JEP173

持续开关测试

JEP182

 


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