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第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测

简要描述：

第三代半导体作为一种理想的半导体材料，在新一代信息技术、新基建等领域得到了愈发广泛的应用。对于国内企业而言，要获取市场信任，检测是证明第三代半导体质量与可靠性的可行手段，同时也是提高其质量可靠性的重要保障。广电计量第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测特意推出第三代半导体可靠性验证与评价服务，助力企业产品高效发展。

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更新日期：2023-05-31

价格：

详细介绍

品牌	广电计量	加工定制	是
服务区域	全国	服务周期	常规3-5天
服务类型	元器件筛选及失效分析	服务资质	CMA/CNAS认可
证书报告	中英文电子/纸质报告	增值服务	可加急检测
是否可定制	是	是否有发票	是

第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测服务背景

在第三代半导体的代表中，碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）目前是技术较为成熟的材料，优越的性能使其在新一代运动通信、新能源并网、智能电网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域具有广泛的应用前景。SiC、GaN器件凭借杰出的系统性能，给许多应用带来更高的效率和功率密度，以及更低的系统成本。然而，与所有的新技术一样，SiC、GaN器件必须全面严格地遵循技术开发和产品质量检验程序。

第三代半导体可靠性验证与评价可加急检测服务内容

广电计量围绕JEDEC系列标准，从三方面进行技术能力布局：

1、识别潜在的失效模式和失效机制，并根据目标寿命设计确认测试；

2、将样品置于适当的可靠性应力下，以加速激发潜在的失效机制；

3、完成加速应力后，对样品进行测试，以确定其性能是否仍可接受。

针对SiC分立器件和模块，广电计量参照JEDEC、AECQ101及AQG324标准进行检测验证，能力不仅覆盖用于验证传统Si器件长期稳定性的所有方法，还开发了针对SiC器件不同运行模式的特定试验，见表1。

表1 SiC器件特定可靠性试验

试验	试验条件
HV-H3TRB	VDS=0.8VDSmax，Ta=85°C, RH=85%，t≥1000h
HTRB和负电压	VDS=VDSmax，Tvj=175°C，VG =-10 V，t≥1000h
动态H3TRB	VDS>0.5VDSmax，dVDS/dt(at DUT)>30V/ns, 15kHz≤f≤25 kHz,Ta=85°C, RH = 85%，t≥1000h
动态反向偏压（DRB）	VDS≥0.8VDSmax，dVDS/dt (at DUT)=50V/ns，f ≥25 kHz，Ta= 25°C，t≥1000h
动态栅偏（DGS）	次数≥1011，dVGS/dt =1 V/ns，f ≥50 kHz，VGSoff= VGSmin和VGSon= VGSmax，Ta=25°C
HTFB	SiC体二极管双极退化

CaN器件的质量及可靠性验证以JEDEC和AECQ101为基准进行，见表2，并针对GaN器件和Si基器件之间的差异实施表3试验。

表2 通用可靠性试验

试验	试验条件
HTRB	Tj=150°C， VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h
HTGB	Tj=150°C，VGS=±100%，t≥1000h
H3TRB	Tj=85°C，RH=85%，VDS=0.8 VDSmax，t≥1000h
TC	-40°C to +125°C，≥1000cycles
HTS	Ta=150°C，t≥1000h
IOL	DTj=100°C，2min on，2min off，≥5k cycles
ESD	HBM+CDM
MSL3	Ta=60°C，RH=60%，t=40h，3x reflow cycles