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IGBT及第三代半导体器件全参数测试

简要描述:

广电计量专家团队深入解读IGBT测试相关标准,建立功率模块可靠性验证技术能力,可以为功率半导体产业上下游企业提供IGBT及第三代半导体器件全参数测试验证报告。

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更新日期:2023-05-30

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IGBT及第三代半导体器件全参数测试
品牌广电计量加工定制
服务区域全国服务周期常规3-5天
服务类型元器件筛选及失效分析服务资质CMA/CNAS认可
证书报告中英文电子/纸质报告增值服务可加急检测
是否可定制是否有发票

IGBT及第三代半导体器件全参数测试服务范围

MOSFET、IGBTDIODEBJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块。


IGBT及第三代半导体器件全参数测试检测标准

l  AEC-Q101分器件认证

l  MIL-STD-750半导体器件试验⽅法

l  IEC60747系列SemiconductorDevices,DiscreteDevices

l  GB/T29332半导体器件-器件-9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

l  AQG324功率模块⻋规认证


检测项目


试验类型

试验项⽬

静态参数

BVDSS、IDSS、IGSS、VGS(th)、RDS(on)、VDS(on)、VSD、Rg、Cies、Coes、Cres、gfs、Vgs(pl)…

动态参数

td(on)、tr、td(off)、tf、Eon、Eoff、trr、Qrr、Irrm、dirr/dt、QG、QGC、QGE…

其他参数

Rth(j-c)、Unclamped Inductive Switching、RBSOA、SCSOA…



相关资质

CNAS


服务背景

功率器件在新能源汽车、智能电网等领域有广泛应用,其中,IGBT技术瓶颈不断被打破,第三代半导体功率器件也开始由实验室阶段步⼊商业应用。通常这些新型器件测试要求更⾼的电压和功率⽔平,更快的开关时间,对测试设备及人员技术要求⾼,在研发时间与成本的双重压力下,全参数测试成为不少制造商的难题。


我们的优势

广电计量积极布局新型IGBT及第三代半导体功率器件的测试业务,引进测试技术,为功率半导体产业上下游企业提供器件全参数检测服务。同时,广电计量通过构筑检测认证与分析⼀体化平台,为客⼾提供器件可靠性验证及失效分析,帮助客户分析失效机理,指导产品设计及⼯艺改进。


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